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产品和服务中心
GaN-on-Si for power devices
规格书下载
高耐压HEMT外延片,适用于快充等应用领域的功率器件制备
尺寸 4、6、8英寸
耐压 650V
方阻 350 ohm/sq
Details of GaN-on-Si for power devices
Sun-City-Group-official-website-hr@gslplus.com
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